NTMT090N65S3HF دیتاشیت

NTMT090N65S3HF

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت NTMT090N65S3HF
حجم فایل 50.018 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 11

مشاهده دیتاشیت NTMT090N65S3HF-Isee

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: onsemi NTMT090N65S3HF
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 272W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 66nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 650V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 2.93nF@400V
  • Continuous Drain Current (Id): 36A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 5V@0.86mA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): -
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 75mΩ@10V,18A
  • Package: PQFN-4(8x8)
  • Manufacturer: onsemi

محصولات مشابه